DGKK e.V. - Arbeitskreis "Massive Halbleiterkristalle" 10. Oktober 2018

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German Crystal Growth Association / Deutsche Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum (DGKK)

 

EINLADUNG

DGKK - Arbeitskreis

Herstellung und Charakterisierung von massiven Halbleiterkristallen

am 10. Oktober 2018 in Erlangen

DGKK-AK „Massive Halbleiterkristalle“, 10.10.2018 Erlangen

Tagungsort: Seminarraum 3.71 (3. OG), Martensstr. 7, 91058 Erlangen, Department Werkstoffwissenschaften 6, Univ. Erlangen-Nürnberg.

Am Anreisetag besteht die Möglichkeit zum Mittagessen in der Cafeteria der Mensa oder in der Cafeteria des Fraunhofer-Instituts

BEITRÄGE

13:00 Begrüßung

Peter Wellmann & Jochen Friedrich

 

13:15 Neues von der PVA & Laser Metrologie Gruppe

G. Kupka

PVA Metrology & Plasma Solutions GmbH, Member of PVA TePla AG, Branch Jena, Am Nasstal 6/8, 07751 Jena-Maua, Germany

 

13:40 Limitations of the growth rate during pulling of large diameter silicon crystals by the Czochralski technique

J. Friedrich1, T. Jung1, A. Denisov2, A. Muehe2, J. Seebeck1,3

1Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology (IISB), Erlangen, Germany

2PVA Tepla Crystal Growing Systems GmbH, Wettenberg, Germany

3Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis, USA

 

14:05 Vapor growth of single crystalline 3C-SiC with a diameter of 50 mm

P. Schuh1, U. Künecke1, G. Litrico3, F. La Via2,M. Mauceri3, M. Zielinksi4, P. J. Wellmann1

1 Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), FAU Erlangen-Nuremberg, Martensstr. 7, D-91058 Erlangen, Germany

2 CNR-IMM, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy

3 LPE S.P.A., Sedicesima Strada, I-95121, Catania, Italy

4NOVASiC, rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France

 

14:30 Heteroepitaxy of GaN on sapphire by high temperature vapor phase epitaxy

M. Förste1, T. Schneider1, G. Lukin2, M. Barchuk1, C. Röder1, E. Niederschlag1, O. Pätzold1

1TUBAF Institut für NE-Metallurgie und Reinststoffe

2Fraunhofer THM Freiberg

 

14:55 Bulk AlN crystals grown in different crucible materials

B. Epelbaum, S. Müller, S. Besendörfer, E. Meissner, J. Friedrich

Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology (IISB), Erlangen, Germany

 

15:20 PAUSE

 

15:50 In-Situ Charakterisierung der Wachstumsfläche von SiC-Einkristallen mittels Röntgen- Computertomographie

M. Arzig1, M. Salamon2, N. Uhlmann2, P.J. Wellmann1

1 Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), University of Erlangen-Nürnberg (FAU), 91058 Erlangen, Germany

2 Fraunhofer Institute for Integrated Circuits, Development Center for X-Ray Technology (EZRT), 90768 Fürth, Germany.

 

16:15 Crystallization of SiC and related polytype analysis by means of Raman, ToF-SIMS and XPS

S. Richter

Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP, Otto-Eißfeldt-Straße 12, 06120 Halle

 

16:40 Characterization of 4H-SiC

M. Roder1,   M. Arzig2, J. Steiner2, P. Wellmann2, A. Danilewsky1

1Crystallography, Albert Ludwigs University Freiburg, 79104 Germany

2Crystal Growth Lab, Material Department 6 (i-meet), University of Erlangen-Nürnberg, 91058 Erlangen

 

17:05 Impact of substrate quality on the minority carrier lifetime in 4H-SiC during epitaxial growth and post-epi processing”

J. Erlekampf, B. Kallinger, P. Berwian, J. Friedrich

Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology (IISB), Erlangen, Germany

 

17:30 PAUSE

 

17:45 Planung & Durchführung eines deutschlandweiten Schulwettbewerbs „WER ZÜCHTET DEN SCHÖNSTEN KRISTALL“

Schüler des P-Seminars „Kristallzüchtungswettbewerb“ des Gymnasiums Eckental

 

ca. 18:15 Aussprache (Planung der kommenden Termine)


ca. 18:30 Ende der Veranstaltung


Hinweis: keine Vorträge am  Donnerstag


 

VERANSTALTER

- Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e.V. (DGKK)

- Crystal Growth Lab, Department Werkstoffwissenschaften 6 (i-meet), Univ. Erlangen-Nürnberg

- Fraunhofer-Institut IISB, Erlangen

 

PROGRAMMGESTALTUNG

Prof. Dr. Peter Wellmann (Department Werkstoffwissenschaften 6, Universität Erlangen-Nürnberg) und Dr. Jochen Friedrich (Fraunhofer-Institut IISB, Erlangen)

 

TAGUNGSORT

Seminarraum 3.71, Martensstr. 7, 91058 Erlangen, Department Werkstoffwissenschaften 6, Univ. Erlangen-Nürnberg.

Beginn der Veranstaltung: Mi. 10. Oktober 2018, 13:30 Uhr. Ende der Veranstaltung: Do. 11. Oktober 2018, 12:00 Uhr.

Am An- und Abreisetag besteht die Möglichkeit zum Mittagessen in der Cafeteria der Mensa oder in der Cafeteria des Fraunhofer-Instituts (siehe Link unten).

 

TAGUNGSBÜRO (Fragen jeglicher Art)

Elisabeth Henneberger (Department Werkstoffwissenschaften 6, Universität Erlangen-Nürnberg), Tel.-Nr.: 09131/85-27729 (Mo. bis Do. vormittags)

Elke Dutzel (Fraunhofer Institut IISB, Erlangen), Tel. 09131/761-270

 

KONTAKTADRESSE

Prof. Dr. Peter Wellmann

Department Werkstoffwissenschaften 6

Martensstraße 7, 91058 Erlangen

Email: peter.wellmann@fau.de

 

ANMELDUNG VON PERSONEN

Bitte formlos per Email (peter.wellmann@fau.de) oder Fax (09131/85-28495). Vertreter aus dem industriellen Umfeld haben die Möglichkeit mit einem Stand oder Poster ihre Produkte vorzustellen; in diesem Falle wird um eine kleine finanzielle Beteiligung an den Tagungskosten gebeten (Beteiligung an den Kosten für Kaffeepausen, ...).


INFORMATIONEN ZUM CAMPUS UND ZUR STADT ERLANGEN

- Aktuelle Infos zum Arbeitskreistreffen: http://crystals.tf.fau.de/

- Lageplan Campus der Technischen Fakultät und des Fraunhofer-Instituts: https://www.tf.fau.de/infocenter/campussuche/statische-campussuche/anfahrt.shtml

- Informationen zu Fraunhofer IISB: www.iisb.fraunhofer.de  

- Unterkünfte: http://www.erlangen-marketing.de/